王学锋
微电子与光电子学系 博导
![]() 王学锋微电子与光电子学系 博导 |
个人简历
王学锋,南京大学教授,获基金委青A项目(原国家杰出青年科学基金)和优青项目资助,教育部新世纪优秀人才。2002和2004年本科和硕士毕业于武汉理工大学材料学院本硕班,2007年博士毕业于香港中文大学电子工程学系,之后在悉尼大学从事博士后研究。2010年入职南京大学,2014年聘为教授。 长期从事新型自旋电子材料与器件的基础研究和自旋芯片原子级制造的应用基础研究。作为项目负责人先后主持国家自然科学基金9项,包括青A、优青、重大项目课题和面上,并承担JKW项目3项。以通讯/第一作者在Nature Materials, Nature Communications, Light: Science & Applications, Advanced Materials, Advanced Functional Materials, IEEE Electron Device Letters等主流期刊发表论文80余篇;所发表的所有论文SCI引用4000余次,H因子34。参编《量子物理》教材、《半导体科学与技术》等专著章节;获授权国家发明专利10项、省部级科学技术奖励2项。目前兼任南京大学原子制造研究院副院长、南京大学自旋芯片与技术全国重点实验室副主任等职。 人才培养 已培养博士10名;课题组现有博士后1名、研究助理1名、在读博士生11名,学术氛围浓厚。所培养的学生中20余人次获国家奖学金、华为奖学金等荣誉,其中1人获基金委优青项目,1人获基金委青年学生博士生项目;毕业去向包括高等院校、科研院所、半导体与集成电路企业。 招贤纳士 热忱欢迎对从事科研有强烈意愿且有志攻读博士学位的优秀学生加盟。博士招生专业:电子科学与技术(0809)、集成电路科学与工程(1401)、电子信息(0854)。同时常年招收博士后/专职科研人员,详情请浏览如下课题组网页。 研究方向
新型自旋电子材料与器件;自旋芯片原子级制造;信息功能薄膜与集成 主要课程
量子物理与通信(本科生);信息电子学前沿实验(本科生);自旋电子学概论(研究生) 代表成果
近期五篇代表作(通讯作者*): (1) C. F. Li, R. Wang, S. Zhang*, Y. Y. Qin, Z. Ying, B. Y. Wei, Z. Dai, F. Y. Guo, W. Chen, R. Zhang, B. G. Wang, X. F. Wang*, F. Q. Song*, Observation of giant nonreciprocal charge transport from quantum Hall states in a topological insulator, Nature Mater. 23, 1208-1213 (2024). (2) X. Zhang, T. S. Zhu, S. Zhang, Z. Q. Chen, A. K. Song, C. Zhang, R. Z. Gao, W. Niu, Y. Q. Chen, F. C. Fei, Y. L. Tai, G. A. Li, B. H. Ge, W. K. Lou, J. Shen, H. J. Zhang, K. Chang, F. Q. Song*, R. Zhang*, X. F. Wang*, Light-induced giant enhancement of nonreciprocal transport at KTaO3-based interfaces, Nature Commun. 15, 2992 (2024). (3) Z. Q. Chen, H. S. Qiu, X. J. Cheng, J. Z. Cui, Z. M. Jin, D. Tian, X. Zhang, K. K. Xu, R. X. Liu, W. Niu, L. Q. Zhou, T. Y. Qiu, Y. Q. Chen, C. H. Zhang, X. X. Xi, F. Q. Song, R. Yu, X. C. Zhai*, B. B. Jin*, R. Zhang*, X. F. Wang*, Defect-induced helicity dependent terahertz emission in Dirac semimetal PtTe2 thin films, Nature Commun. 15, 2605 (2024). (4) Z. Y. Li, Y. Q. Chen, A. K. Song, J. Z. Zhang, R. Zhang, Z. Z. Zhang*, X. F. Wang*, Anisotropic phonon dynamics in Dirac semimetal PtTe2 thin films enabled by helicity-dependent ultrafast light excitation, Light Sci. Appl. 13, 181 (2024). (5) R. X. Liu, L. Si, W. Niu, X. Zhang, Z. Q. Chen, C. Z. Zhu, W. Z. Zhuang, Y. D. Chen, C. C. Zhang, L. Q. Zhou, P. Wang, F. Q. Song, L. Tang, Y. B. Xu, Z. C. Zhong*, R. Zhang, X. F. Wang*, Light-Induced Mott Insulator-to-Metal Phase Transition in Ultrathin Intermediate-Spin Ferromagnetic Perovskite Ruthenates, Adv. Mater. 35, 2211612 (2023). Selected as Inside Back Cover. |